IGBT와 슈퍼 정션 MOSFET: 차세대 전력 반도체의 핵심 기술
현대 전력 전자 산업에서 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)와 슈퍼 정션 MOSFET(Super Junction MOSFET)은 고효율, 고전력 제어를 가능하게 하는 핵심 반도체 소자로 주목받고 있습니다. 두 기술은 전력 손실을 최소화하고 에너지 효율을 극대화하기 위해 다양한 산업 분야에서 폭넓게 사용되고 있습니다.
⚙️ IGBT란 무엇인가?
IGBT는 MOSFET의 빠른 스위칭 속도와 BJT의 고전류 처리 능력을 결합한 하이브리드 반도체입니다. 이 소자는 고전압, 대전류를 요구하는 응용 분야에서 주로 사용되며, 전력 변환 및 모터 제어 시스템에 필수적인 역할을 합니다.
주요 특징:
고전압 및 대전류 구동 가능
낮은 도통 손실 (Low Conduction Loss)
산업용 인버터, 전기차(EV), 철도 시스템에 활용
⚡ 슈퍼 정션 MOSFET이란?
슈퍼 정션 MOSFET은 기존 평면형 MOSFET의 한계를 극복하기 위해 설계된 차세대 구조입니다. PN 기둥이 교차 배열된 구조를 통해 낮은 온 저항(R<sub>DS(on)</sub>)과 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)을 동시에 달성할 수 있습니다.
주요 장점:
낮은 스위칭 손실로 고효율 구현
고주파 동작에 유리
서버 전원 공급장치(SMPS), 태양광 인버터, 전기차 충전기 등에 적용
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